6月13日音信，国度学问产权局信息泄露，苏州东微半导体股份有限公司恳求一项名为“氮化镓器件的制造措施”的专利。恳求公布号为CN122205894A，恳求号为CN202411806778.1，恳求公布日历为2026年6月12日，恳求日历为2024年12月10日，发明东说念主刘伟、王鹏飞、刘磊，专利代理机构北京品源专利代理有限公司，专利代理师陈雪颖，分类号H10D30/01、H10D64/01、H10D62/85、H10D62/824、H10D62/10。
专利纲目泄露，本发明提供一种氮化镓器件的制造措施，包括：在提供的基底前模范变成沟说念层和势垒层；在所述势垒层之上变成第一绝缘层，刻蚀所述第一绝缘层变成栅极结构区域；在所述栅极结构区域内变成栅极结构；以所述栅极结构为掩膜刻蚀第一绝缘层，刻蚀后剩余的第一绝缘层变成名义钝化层，所述名义钝化层位于所述栅极结构的两侧，所述名义钝化层的厚度小于所述栅极结构的厚度；掩饰所变成的结构变成第二绝缘层，在所述第二绝缘层之上变成第一金属层，刻蚀所述第一金属层变成栅极金属层，所述栅极金属层位于所述栅极结构之上并向所述栅极结构的两侧延迟至所述名义钝化层之上。
东微半导建树于2008年9月12日，于2022年2月10日在上海证券来回所上市，OD·体育世界杯(中国)官方网站注册地址和办公地址均为江苏省苏州市。该公司是国内高性能功率器件范围的超过企业，专注功率器件研发，具备深厚技能壁垒。
东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技能运行型半导体企业，所属申万行业为电子-半导体-分立器件，波及IGBT看法、碳化硅、光伏玻璃等看法板块，居品专注于工业及汽车联系等中大功率行使范围。
2025年，东微半导达成交易收入12.53亿元，在行业18家公司中排行第10，远低于第又名*ST闻泰的312.53亿元和第二名士兰微的130.52亿元，低于行业平均数39.84亿元和中位数13亿元。其主交易务中，功率半导体居品收入11.93亿元，占比95.26%；晶圆收入5916.09万元，占比4.72%；其他(补充)收入26.08万元，占比0.02%。净利润方面，2025年为3380.77万元，行业排行12/18，远低于第又名扬杰科技的12.45亿元和第二名捷捷微电的4.76亿元，低于行业中位数5933.85万元，但高于行业平均数-3.38亿元。
凤凰彩票官方网站 - Welcome苏州东微半导体股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利称呼专利类型法律情景恳求号恳求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东说念主1一种功率半导体模块发明专利公布CN202610204670.82026-02-12CN122121710A2026-05-29张航宇、袁伟、汤乐2一种IGBT器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202510964353.12025-07-14CN120857530A2025-10-28刘伟、林敏之3IGBT器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202510964367.32025-07-14CN120857531A2025-10-28刘伟、林敏之4半导体器件的制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202510451624.32025-04-11CN120282464A2025-07-08刘伟、王鹏飞、陈鑫5氮化镓器件发明专利公布CN202411808056.X2024-12-10CN122205905A2026-06-12王鹏飞、刘伟、刘磊6氮化镓器件的制造措施发明专利公布CN202411806778.12024-12-10CN122205894A2026-06-12刘伟、王鹏飞、刘磊7一种氮化镓器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202411606016.72024-11-12CN122028458A2026-05-12王鹏飞、刘磊、刘伟8一种氮化镓器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202411606015.22024-11-12CN122028457A2026-05-12王鹏飞、刘磊、刘伟9一种氮化镓器件的制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202411606391.12024-11-12CN122028447A2026-05-12王鹏飞、刘磊、刘伟10一种氮化镓器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202411606018.62024-11-12CN122028459A2026-05-12王鹏飞、刘磊、刘伟11一种IGBT器件的制造措施发明专利授权、本色审查的奏效、公布CN202411371344.32024-09-29CN119230399B2025-03-11刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊12IGBT器件的制造措施发明专利授权、本色审查的奏效、公布CN202411371340.52024-09-29CN119230398B2025-05-23刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊13IGBT器件的制造措施发明专利授权、公布CN202411371352.82024-09-29CN119230400B2025-10-17刘伟、王鹏飞、陈鑫、刘磊14半导体超结功率器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202411330233.82024-09-24CN121240495A2025-12-30王鹏飞、缪进征、王睿、袁愿林15一种IGBT器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202410911946.72024-07-09CN118866946A2024-10-29王鹏飞、林敏之16碳化硅器件偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202410120811.92024-01-29CN120435042A2025-08-05王鹏飞、范让萱17一种IGBT器件偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202311106025.52023-08-30CN119562568A2025-03-04刘磊、王鹏飞18一种IGBT器件偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202311105888.02023-08-30CN119562567A2025-03-04刘磊、王鹏飞19碳化硅器件偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202310715907.52023-06-16CN119153497A2024-12-17王鹏飞、范让萱、刘磊、缪进征20碳化硅器件偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202310715908.X2023-06-16CN119153498A2024-12-17王鹏飞、范让萱、刘磊、缪进征21碳化硅器件偏激制造措施发明专利公布CN202310367493.12023-04-07CN118782646A2024-10-15刘磊、王鹏飞22半导体超结功率器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202211651724.32022-12-21CN118231464A2024-06-21王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿23半导体超结功率器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202211649969.22022-12-21CN118231446A2024-06-21王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿24半导体功率器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202211652272.02022-12-21CN118231465A2024-06-21王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿25半导体功率器件偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202211271548.02022-10-18CN117954490A2024-04-30王鹏飞、毛振东、范让萱26半导体超结功率器件偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202211271803.12022-10-18CN117954491A2024-04-30王鹏飞、袁愿林、王睿、刘磊、缪进征27氮化镓器件偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202210960844.52022-08-11CN117637832A2024-03-01王鹏飞、林敏之、刘磊28半导体功率器件的制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202210544438.02022-05-18CN117133643A2023-11-28缪进征、王鹏飞、范让萱29氮化镓HEMT器件偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202210551950.82022-05-18CN117133794A2023-11-28王鹏飞、林敏之、刘磊30半导体功率器件偏激制造措施发明专利发明专利恳求公布后的畏怯、本色审查的奏效、公布CN202210539346.32022-05-17CN117116976A2023-11-24王鹏飞、毛振东、范让萱31半导体功率器件的制造措施及器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202210539330.22022-05-17CN117116748A2023-11-24王鹏飞、毛振东、范让萱32IGBT器件的制造措施发明专利授权、公布CN202210367143.02022-04-08CN116936357B2025-10-03刘伟、王鹏飞、刘磊、龚轶33IGBT器件偏激制造措施发明专利授权CN202210366889.X2022-04-08CN116936626B2025-11-28范让萱、缪进征、王鹏飞、刘磊、龚轶34半导体二极管偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202210363432.32022-04-07CN116936603A2023-10-24王鹏飞、王睿、林敏之、刘磊、龚轶35半导体功率器件实用新式授权CN202220614408.82022-03-21CN217037151U2022-07-22王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿36碳化硅器件偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202210280761.12022-03-21CN116825828A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞37碳化硅器件的制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202210282247.12022-03-21CN116825621A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞38半导体超结功率器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202210281110.42022-03-21CN116825829A2023-09-29王鹏飞、刘磊、袁愿林、王睿39半导体功率器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202210279749.92022-03-21CN116827322A2023-09-29王鹏飞、袁愿林、刘磊、王睿40碳化硅二极管偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202210276766.72022-03-21CN116825803A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞41碳化硅器件终局结构偏激制造措施发明专利本色审查的奏效、公布CN202210281170.62022-03-21CN116825804A2023-09-29范让萱、缪进征、王鹏飞42半导体二极管发明专利授权CN202111611956.12021-12-27CN116364748B2026-04-03刘磊、刘伟、袁愿林、王睿43IGBT器件偏激制造措施发明专利授权CN202111576883.72021-12-22CN116344573B2026-04-07林敏之、刘伟、刘磊、袁愿林44IGBT器件发明专利授权、公布CN202111561080.42021-12-15CN116264244B2024-12-24刘伟、林敏之、袁愿林、王睿45IGBT器件发明专利授权、公布CN202111534459.62021-12-15CN116264242B2025-09-12林敏之、刘磊、刘伟、袁愿林46半导体功率器件实用新式授权CN202122841877.12021-11-19CN216250731U2022-04-08龚轶、刘磊、刘伟、袁愿林47半导体超结功率器件发明专利授权、公布CN202111359635.72021-11-17CN116137283B2025-09-12刘伟、刘磊、袁愿林、王睿48半导体超结功率器件发明专利授权CN202111359722.22021-11-17CN116137289B2026-02-06刘磊、刘伟、袁愿林、王睿49半导体超结功率器件发明专利授权CN202111359631.92021-11-17CN116137282B2026-02-27刘伟、刘磊、袁愿林、王睿50半导体功率器件发明专利本色审查的奏效、公布CN202111170049.82021-10-08CN115966590A2023-04-14刘磊、刘伟、袁愿林、王睿OD·体育世界杯(中国)官方网站
